P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V***75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
1、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
2、MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V***75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
4、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
V不需要加上拉电阻。上拉的意思是，当5V-IO这个网络没有被确定一个电压的时候，通过一个电阻连接到5V，那么这个网络就被确定为5V了，这个电阻就叫做“上拉电阻”。 一，为降低能耗，基极电阻取10K，集电极电阻取5K就好了。这些三极管都工作在开关状态，所以很好估算工作电流的。二，输出高电平为5V的，取统一的5V电源，输出高电平3V的电路，电源统一取3V。三，其实，不需要这么麻烦的。 你画的这个电路不能满足3V和5V的双向电平转换，只能单向由5V转到3V。要双向电平转换，可使用下图的电路：MOS管电平转换电路***原理介绍可以看这篇文章，链接在这里。 比如各模块通过I2C总线通讯时，挂在总线上的有使用3V电压域的器件，也有使用5V电压域的器件，通电平转换的电路，大家就可以愉快地玩耍聊天了。下图是可以用在I2C总线的电平转换电路。 还有，普通的功率mos管，栅极的开启电压都比较高，3V甚至5V都达不到。mos管不能完全开启，后果是源漏之间的电流Ids不够大，带负载可能带不动。而信号用mos管虽然开启电压低，但带负载能力又不强，还是带不动负载。 因为i2c总线的数据通讯是双向的，所以用到mos管。如果用二极管，那数据通信只能单向。 本文转载自互联网，如有侵权，联系删除